Infineon BSC014NE2LSIATMA1

Name: Infineon BSC014NE2LSIATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC014NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 33A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

$ 0.66

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	BSC014NE2LSIATMA1	1,519	5	Cut Tape		1.350	0.976	0.976	0.976
Future Electronics	2	BSC014NE2LSIATMA1	5,000	5K	Tape & Reel					0.945
Rochester Electronics		BSC014NE2LSIATMA1	3,128					0.712	0.591	0.527	10h
DigiKey	3	BSC014NE2LSIATMA1CT-ND	6,151	1	Cut Tape	2.500	1.593	1.076	0.783	0.723
Arrow Electronics		BSC014NE2LSIATMA1	19,730	4			1.279	0.885	0.660	0.583

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-06-22

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2026-09-30

LTD Date2027-03-31

説明

Infineon BSC014NE2LSIATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 25V 33A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Verical

Transistor MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin TDSON T/R

Avnet

2.5W 20V 39nC 1N 25V 1.4m¦¸@ 10V 2.7nF@ 12V , 5.15mm*5.9mm*1mm

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 25V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

BSC014NE2LSI Infineon Technologies

YIC International

BSC014NE2 - 12V-300V N-CHANNEL P

DigiKey Marketplace

With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).

Infineon

MOSFET, N-CH, 25V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Po

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