Infineon BSC011N03LSATMA1

Name: Infineon BSC011N03LSATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC011N03LSATMA1

2.5KW 20V 2V 72NC 1N 30V 1.1M¦¸@ 10V 100A 4.7NF@ 15V Tdson(ep) , 5.15MM*590CM*1MM

$ 0.674

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		BSC011N03LSATMA1	6,310	1	Cut Tape	2.110	1.360	0.938	0.694	0.694
Arrow Electronics	2	BSC011N03LSATMA1	9,765	1		1.591	1.591	1.591	1.591	1.591
Future Electronics	2	BSC011N03LSATMA1	25,000	5K	Tape & Reel					0.565
Rutronik		TMOSP10580	5,000	5K						0.587	7h
Rochester Electronics		BSC011N03LSATMA1	2,638					0.748	0.621	0.553	23h

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-03-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon BSC011N03LSATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

2.5KW 20V 2V 72nC 1N 30V 1.1m¦¸@ 10V 100A 4.7nF@ 15V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm

Unikeyic (ICkey)

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON T/R

Avnet

MOSFETs; BSC011N03LS; INFINEON TECHNOLOGIES; 30 V; 37 A; 20 V; 96 W

Maritex

MOSFET N-Channel 30V 37A OptiMOS TDSON8

RS APAC

Power Field-Effect Transistor, 204A I(D), 30V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

OptiMOS™ 30V in SuperSO8 package, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:96W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC011N03LSATMA1.

Newark

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 30V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in half-bridge configuration (power stage 5x6).

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