Infineon BGS12SN6E6327XTSA1

BGSF12SN6 SPDT 6 GHz 0.65 dB SMT Wideband RF Switch - TSNP-6
Obsolete

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Farnell

Datasheet16ページ9年前

IHS

Infineon

Newark

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.00.01
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-15
LTD Date2025-12-15

関連部品

NXP SemiconductorsBGA2817,115
RF Amplifier, 24.4 dB Gain / 3.8 dB Noise, DC to 2.2 GHz, 3 V to 3.6 V Supply, SOT-363-6
NXP SemiconductorsBGA2800,115
RF Amplifier 6CH MMIC Amp 3.7 dB 3.3V 10.5mA 3.2GHz
NXP SemiconductorsBGA2866,115
BGA2866 Series 5.5 V 17.4 mA Surface Mount MMIC Wideband Amplifier - TSSOP-6

説明

Infineon BGS12SN6E6327XTSA1の詳細は販売業者から提供されます。

BGSF12SN6 SPDT 6 GHz 0.65 dB SMT Wideband RF Switch - TSNP-6
The BGS12SN6 RF MOS switch is specifically designed for WLAN and Bluetooth applications, TSNP-6-2, RoHS
Infineon SCT
RF Switch Single SPDT 0.1GHz to 6GHz 6-Pin TSNP T/R
Wideband RF SPDT Switch In Small Package
RF SPDT Switch 6GHz 30dB ESD TSNP6
RS APAC
芯片, 射频开关, SPDT, 100MHZ-6GHZ, TSNP-6;
RF SWITCH, SPDT, 100MHZ-6GHZ, TSNP-6; Frequency Response RF Min:100MHz; Frequency Response RF Max:6GHz; IC Case / Package:TSNP; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:85°C; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
The BGS12SN6 RF MOS switch is specifically designed for WLAN and Bluetooth applications. Any of the 2 ports can be used as termination of the diversity antenna handling up to 30 dBm. This single supply chip integrates on-chip CMOS logic driven by a simple, single-pin CMOS or TTL compatible control input signal. The 0.1 dB compression point exceeds the switch’s maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels. The RF switch has a very low insertion loss of 0.25 dB in the 1 GHz and 0.29 dB in the 2.5 GHz range.Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally.The BGS12SN6 RF switch is manufactured in Infineon’s patented MOS technology, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS including the inherent higher ESD robustness. The device has a very small size of only 0.7x1.1mm2 and a maximum height of 0.375 mm.Evaluation Board: BGS12SN6 BOARD

メーカーの別名

Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります:

  • BGS 12SN6 E6327
  • BGS12SN6
  • BGS12SN6 E6327
  • BGS12SN6E6327
  • SP001068580