Infineon BFR93AE6327HTSA1

Name: Infineon BFR93AE6327HTSA1
Brand: Infineon
SKU: BFR93AE6327HTSA1

BFR93A Series 12 V 90 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - PG-SOT-23-3

$ 0.137

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	BFR93AE6327HTSA1	21,634	1		0.103	0.103	0.103	0.103	0.103
Rutronik		THF4781	45,000	3K						0.121	14h
Rochester Electronics		BFR93AE6327HTSA1	1,558					0.147	0.122	0.109	7h
DigiKey	3	BFR93AE6327HTSA1CT-ND	3,455	1	Cut Tape	0.310	0.215	0.164	0.137	0.137
Newark	2	BFR93AE6327HTSA1	0	5	Cut Tape		0.261	0.223	0.223	0.223

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サプライチェーン

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1990-05-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon BFR93AE6327HTSA1の詳細は販売業者から提供されます。

BFR93A Series 12 V 90 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - PG-SOT-23-3

Future Electronics

12V 300mW 90mA 100@30mA8V 6GHz +150¡Í@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 6GHZ, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:6GHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:90mA; DC Current Gain hFE:70hFE; RF T

element14 APAC

Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 90 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 12 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 20 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 2 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 6 / Power Dissipation (Pd) mW = 300 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel

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