Infineon BFR35APE6327HTSA1

Name: Infineon BFR35APE6327HTSA1
Brand: Infineon
SKU: BFR35APE6327HTSA1

Bipolar junction transistor, NPN, 45 mA, 15 V, SMD, SOT-23, BFR35APE6327HTSA1

$ 0.135

NRND

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		BFR35APE6327HTSA1	1,993	5	Cut Tape		0.234	0.195	0.181	0.181
Arrow Electronics	3	BFR35APE6327HTSA1	3,345	1		0.297	0.180	0.143	0.127	0.114
Rochester Electronics		BFR35APE6327HTSA1	1,009,843					0.147	0.122	0.109	5h
DigiKey	3	448-BFR35APE6327HTSA1CT-ND	4,080	1	Cut Tape	0.310	0.215	0.164	0.137	0.137
Future Electronics		BFR35APE6327HTSA1	0	3K	Tape & Reel					0.096

在庫履歴

3か月間の傾向 : -0.29%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon BFR35APE6327HTSA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet6ページ12年前

Newark

Burklin Elektronik

_legacy Avnet

在庫履歴

3か月間の傾向:

-0.29%

CADモデル

製造元 Infineon BFR35APE6327HTSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1990-05-01

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon BFR35APE6327HTSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Bipolar junction transistor, NPN, 45 mA, 15 V, SMD, SOT-23, BFR35APE6327HTSA1

Burklin Elektronik

NPN Silicon RF Transistor for low distortion broadband amplifiers and oscillators up to 2GHz at collector currents from 0.5mA to 20 mA

Infineon

RF TRANSISTOR, NPN, 15V, 5GHZ, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15V; Transition Frequency ft: 5GHz; Power Dissipation Pd: 280mW; DC Collector Current: 45mA; DC Current Gain hFE: 70hFE; RF Transistor Case: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

Transistor Polarity = NPN / Continuous Collector Current (Ic) mA = 45 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 15 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 20 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 2.5 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 5 / Power Dissipation (Pd) mW = 280 / Package Type = SC-59 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel

Distrelec