Infineon BF5030WH6327XTSA1

Name: Infineon BF5030WH6327XTSA1
Brand: Infineon
SKU: BF5030WH6327XTSA1

Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R

Obsolete

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価格と在庫

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell	2	BF5030WH6327XTSA1	0	5	Cut Tape		0.055*	0.054*	0.054*	0.054*	9h
Component Stockers USA		BF5030WH6327XTSA1	246			99.990	99.990	99.990	99.990	99.990	>1wk
Win Source	2	WS-BF5030W	218,600	70				0.833	0.556	0.556	23h
Worldway Electronics	4	BF5030W H6327	18,835	7			0.047	0.046	0.045	0.044	1d
Aztech		BF5030WH6327XTSA1	335			7.860	7.860	7.860	7.860	7.860	3d

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Arrow Electronics

Datasheet13ページ17年前

TME

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ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-05-05

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

説明

Infineon BF5030WH6327XTSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R

Verical

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode, SOT343, RoHS

Infineon SCT

Mosfet, N-Ch, Aec-Q101, 8V, Sot343

Newark

BF5030 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N;

Farnell

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode | Summary of Features: Designed for input stages of UHF- and VHF-tuners with AGC function; Supporting 5 V operations and power saving 3 V operations; Integrated ESD gate protection diodes; Very low noise figure; High gain, high forward transadmittance; Very good cross modulation at gain reduction; Pb-free (RoHS compliant) package; Qualified according AEC Q101 | Target Applications: Set Top Box; TV

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