価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | BCW66KHE6327HTSA1CT-ND | 532 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | BCW66KHE6327HTSA1 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BCW66KHE6327HTSA1 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BCW66KHE6327HTSA1 | 0 | 42K | 14h | ||||||||
| Arrow Electronics | BCW66KHE6327HTSA1 | 0 | 42K |
CADモデル
製造元 Infineon BCW66KHE6327HTSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-11-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-12-31
LTD Date2028-03-31
関連部品
onsemiMMBT2907A_D87Z
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
説明
Infineon BCW66KHE6327HTSA1の詳細は販売業者から提供されます。
BCW66K Series NPN 45 V 800 mA SMT Silicon AF Transistor Array - SOT-23-3
TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23 / Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA
NPN 500mW 5V 20nA 75V 45V 800mA SOT-23-3 , 2.9mm*1.3mm*1mm
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 45V, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 170MHz; Power Dissipation Pd: 500mW; DC Collector Current: 800mA; DC Current Gain hFE: 180hFE; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency170 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current800 mA
Max Frequency170 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency170 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント