価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BCR135E6327HTSA1 | 41,743 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | BCR135E6327HTSA1 | 19,330 | 1 | |||||||||
| DigiKey | BCR135E6327HTSA1CT-ND | 76 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BCR135E6327HTSA1 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BCR135E6327HTSA1 | 0 | 39K | 23h |
CADモデル
製造元 Infineon BCR135E6327HTSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2023-12-31
LTD Date2024-12-31
関連部品
onsemiKSC1623OMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.BC847B-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC846B-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC847C-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
説明
Infineon BCR135E6327HTSA1の詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar junction transistor, NPN, 100 mA, 50 ## Fehler ##, SMD, SOT-23, BCR135E6327
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
BCR135 Series NPN 50 V 100 mA SMT Silicon Digital Transistor - SOT-23-3
NPN SILICON DIGITAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DIGITAL TRANS, 50V, 10K/47K, SOT-23-3; Digital Transistor Polarity:Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)6 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min70
Input Resistance10 kΩ
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント