価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BC856SH6327XTSA1 | 7,225 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | BC856SH6327XTSA1 | 14,836 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | BC856SH6327XTSA1 | 81,000 | 7h | |||||||||
| Avnet | BC856SH6327XTSA1 | 0 | 12K | 9h | ||||||||
| Future Electronics | BC856SH6327XTSA1 | 0 | 3K | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Infineon BC856SH6327XTSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-11-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2015-10-15
LTD Date2016-10-15
関連部品
onsemiMUN5237DW1T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
onsemiMUN5235DW1T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
onsemiMUN5216DW1T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
onsemiMUN5212DW1T1
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
onsemiSBC847BPDW1T3G
100 Ma 45 V, Co-Packaged Npn And Pnp Bipolar Junction Transistor/ Reel |Onsemi SBC847BPDW1T3G
説明
Infineon BC856SH6327XTSA1の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
65V 250mW 250@10uA,5V 100mA PNP SOT-363-6 Bipolar (BJT) ROHS
Dual PNP 65 V 100 mA 250 MHz 250 mW SMT Silicon AF Transistor Array - SOT-363
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
Bipolar Trans, Dual Pnp, 65V, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BC856SH6327XTSA1
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 / Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO
TRANS, PNP, DUAL, -65V, SOT363; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-363; N
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Continuous Collector Current100 mA
Current1 A
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min200
Max Collector Current100 mA
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage65 V
Dimensions
Height800 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント