Infineon BAT15099RE6327HTSA1

Name: Infineon BAT15099RE6327HTSA1
Brand: Infineon
SKU: BAT15099RE6327HTSA1

Infineon 4V 110mA, Quad Schottky Diode, 4-Pin SOT-143 BAT15099RE6327HTSA1

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	39AH8764	474	1		1.360	0.857	0.565	0.441	0.441	1d
Newark		BAT15099RE6327HTSA1	21,214	1	Cut Tape	1.470	0.925	0.611	0.433	0.433
Future Electronics	2	BAT15099RE6327HTSA1	3,000	3K	Tape & Reel					0.320
Arrow Electronics		BAT15099RE6327HTSA1	6,290	1		1.109	0.760	0.516	0.301	0.301
DigiKey	3	448-BAT15099RE6327HTSA1CT-ND	6,102	1	Cut Tape	1.430	0.898	0.594	0.421	0.421

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.60

Introduction Date1997-02-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

Infineon BAT15099RE6327HTSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Infineon 4V 110mA, Quad Schottky Diode, 4-Pin SOT-143 BAT15099RE6327HTSA1

TodayComponents

SOT143-4 Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS

Jak Electronics

4V 110mA crossoverring,4elements TO-253-AA

UnikeyIC

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4

DigiKey

Mixer Diode, Low Barrier, X Band, Silicon

IHS

Summary of Features:, SOT143-4-4, RoHS

Infineon SCT

RF Mixer and Detector Schottky Diode

Future Electronics

Schottky Diode, 4V, 0.11A, Sot-143; Diode Configuration:Dual Pair Series; Reverse Voltage:4V; Forward Current:110Ma; Forward Voltage:410Mv; Diode Capacitance:0.29Pf; Diode Case Style:Sot-143; No. Of Pins:4 Pin Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BAT15099RE6327HTSA1

Newark

This Infineon RF Schottky diode is silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-099R a suitable choice for mixer functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

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