CADモデル
製造元 Infineon AUIRLR3636TRL のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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代替部品
Price @ 1000
$ 1.349
$ 0.718
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Stock
101,499
700,226
700,226
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
50 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
-
2.5 V
2.5 V
Rds On Max
6.8 mΩ
6.8 mΩ
6.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
143 W
143 W
143 W
Input Capacitance
3.779 nF
3.779 nF
3.779 nF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-02-29
LTD Date2024-08-31
関連部品
International RectifierAUIRLR3705ZTRL
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
InfineonAUIRFR1010Z
Advanced Process Technology / Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
STMicroelectronicsSTD60N55F3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in DPAK package
説明
Infineon AUIRLR3636TRLの詳細は販売業者から提供されます。
TAPE AND REEL / Automotive MOSFET LL 60V, 99A, 8.3 mOhm, 33 nC Qg, DPak
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Trans MOSFET N-CH 60V 99A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time69 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.779 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation143 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation143 W
Rds On Max6.8 mΩ
Rise Time216 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Dimensions
Height2.52 mm