価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | AUIRFR5305TRL | 8 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | AUIRFR5305TRL | 50 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | AUIRFR5305TRL | 3,502 | 22h | |||||||||
| DigiKey | AUIRFR5305TRLCT-ND | 11 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Farnell | AUIRFR5305TRL | 3,700 | 5 | Cut Tape | 23h |
CADモデル
製造元 Infineon AUIRFR5305TRL のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-10-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-02-29
LTD Date2024-08-31
関連部品
InfineonIRFR5305TRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
VishaySQD30N05-20L_GE3
VISHAY SQD30N05-20L -GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 55 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V
説明
Infineon AUIRFR5305TRLの詳細は販売業者から提供されます。
P-Channel 55 V 31 A 110 W Surface Mount Automotive MOSFET - TO-252AA
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, P-CH, 55V, 31A, TO-252AA;
AUTOMOTIVE P-CHANNEL POWER MOSFE
Mosfet, P-Ch, 55V, 31A, 175Deg C, 110W; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:31A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies AUIRFR5305TRL
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Fall Time63 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max65 mΩ
Rise Time66 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.52 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント