Infineon AUIRF1010ZL

Name: Infineon AUIRF1010ZL
Brand: Infineon
SKU: AUIRF1010ZL

Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package

$ 2.03

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	AUIRF1010ZL	8,552					1.570	1.300	1.160	14h
RS (Formerly Allied Electronics)		AUIRF1010ZL	0	400	Bulk				2.760	2.400	7h
Farnell		AUIRF1010ZL	0	1		1.606*	1.606*	1.606*	1.606*	1.606*	14h
Verical	2	AUIRF1010ZL	362	192					1.625	1.450
Win Source		WS-AUIRF1010ZL	9,050	26				1.816	1.523	1.523	15h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-02-19

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2020-11-15

LTD Date2021-05-15

説明

Infineon AUIRF1010ZLの詳細は販売業者から提供されます。

Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package

International Rectifier

AUTOMOTIVE MOSFET 55V, 94A, 7.5 MOHM, 63 NC QG, TO-262

RS (Formerly Allied Electronics)

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 55V, 94A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):5.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:94A; Power Dissipation Pd:140W; Voltage Vgs Max:20V

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