CADモデル
製造元 GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)
説明
GeneSiC Semiconductor G3R350MT12Dの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, SIC, N-CH, 1.2KV, 11A, 74W; Available until stocks are exhausted
1200V 350mΩ TO-247-3 G3R™ SiC MOSFET
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
场效应管, MOSFET, SIC, N沟道, 1.2KV, 11A, 74W;
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1200V, 0.455ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 11A, 74W; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:74W Rohs Compliant: Yes |Genesic G3R350MT12D
メーカーの別名
GeneSiC Semiconductorは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 GeneSiC Semiconductor は以下の名前でも知られているかもしれません：
- GENESIC
- GENESIC SEMI
- GENESIC SEMICONDUCTOR INC
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance455 mΩ
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1