価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | GS61008T-MR | 0 | 250 | |||||||||
| Component Stockers USA | GS61008T-MR | 3,746 | >1wk | |||||||||
| XScomponents | GS61008T-MR | 0 | 3K | 4h |
CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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説明
GaN Systems GS61008T-MRの詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin GaNPX T/R
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Gallium Nitride, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
GaN Systemsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 GaN Systems は以下の名前でも知られているかもしれません：
- GAN SYSTEMS INC
- GaNPower
- GaN Systems / Infineon
技術仕様
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Dimensions
Height621 µm