CADモデル
製造元 onsemi FQPF8P10 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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説明
onsemi FQPF8P10の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET P-CH 100V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 100V P-Channel QFET
28W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 15nC@ 10V 1individualPChannel 100V 530m¦¸@ 2.65A,10V 5.3A 470pF@25V TO-220F Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.3 A
Current Rating-5.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance530 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance470 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation28 W
Rds On Max530 mΩ
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)-100 V