CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-06-01
LTD Date2011-12-01
関連部品
説明
onsemi FDMS8670ASの詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 56 T/R
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN
MOSFET N-CH 30V 23A POWER56
30V, 42A, 3.0m ohm,NCH, POWER TRENCH SYNCFET
Field Effect Tube (MOSFET)
FDMS8670AS, Fairchild
MISCELLANEOUS MOSFETS;
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.615 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time32 ns