価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | ZXTC6719MCTACT-ND | 2 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXTC6719MCTA | 0 | 1 | 16h | ||||||||
| Newark | ZXTC6719MCTA | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | ZXTC6719MCTA | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXTC6719MCTA | 0 | 3K |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. ZXTC6719MCTA のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.ZXTPS720MCTA
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.ZXTD720MCTA
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
説明
Diodes Inc. ZXTC6719MCTAの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN 40V PNP Low SAT Trans
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin
Trans GP BJT NPN/PNP 50V/40V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
320mV@ 200mA,4A,370mV@ 250mA,2.5A NPN,PNP 2.45W 7V 100nA 100V@ NPN,50V@ PNP 50V,40V 4A,3A DFN
Ss Low Sat Transistor W-Dfn3020-8 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTC6719MCTA
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage320 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current4 A
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency165 MHz
Gain Bandwidth Product165 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation2.45 W
Transition Frequency165 MHz