価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXTC2061E6TA | 26 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZXTC2061E6CT-ND | 166 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXTC2061E6TA | 0 | 1 | 10h | ||||||||
| Avnet | ZXTC2061E6TA | 0 | 3K | 13h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXTC2061E6TA | 0 | 50 | Bulk | 4h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. ZXTC2061E6TA のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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関連部品
Diodes Inc.ZXTC2062E6TA
Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R / TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Diodes Inc.ZXTC2063E6TA
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R / TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23
Diodes Inc.DMMT5401-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
ToshibaRN4602(TE85L,F)
300mV@ 250¦ÌA,5mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 300mW -10V,10V 100nA 50V 100mA SM-6
説明
Diodes Inc. ZXTC2061E6TAの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar Array, Npn, Pnp, 12V/5A, Sot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTC2061E6TA
Trans GP BJT NPN/PNP 12V 5A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
ZXTC2061E6 Series NPN/PNP 12 V 5 / 3.5 A Medium Power Transistor SMT - SOT-23-6
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Bipolar Transistors - BJT 12V 1A Medium Power TRANSISTOR
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-26
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency260 MHz
Gain Bandwidth Product310 MHz
hFE Min260
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation1.7 W
Transition Frequency260 MHz
Dimensions
Height1.3 mm
Length3.1 mm
Width1.8 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント