CADモデル
製造元 Diodes Inc. ZXMHC3A01T8TA のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-06
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
関連部品
Diodes Inc.ZXMHC10A07T8TA
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 100V, 1A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMHC10A07T8TA
説明
Diodes Inc. ZXMHC3A01T8TAの詳細は販売業者から提供されます。
COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE, 1.3 W, RoHS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 0.12ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, COMP, H/BRIDE, 30V, SO8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Continuous Drain Current Id, N Channel:3.1A; Continuous Drain Current Id, P Channel:-2.3A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-30V; Module Configuration:Half Bridge; On Resistance Rds(on), N Channel:0.12ohm; On Resistance Rds(on), P Channel:0.21ohm
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-223-8
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Current Rating3.1 A
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time2.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance190 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels4
Number of Elements4
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max120 mΩ
Resistance210 mΩ
Rise Time2.3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time12.1 ns
Dimensions
Height1.6 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント