価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZUMTS17NTA | 132,000 | 3K | 5d | ||||||||
| Newark | ZUMTS17NTA | 2,900 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | ZUMTS17NTA | 129,000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | ZUMTS17NTACT-ND | 2,558 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZUMTS17NTA | 0 | 1 | 10h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. ZUMTS17NTA のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
NXP SemiconductorsBFQ67W,115
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN SINGLE RF Transistor 60 @ 15mA 5V 50mA 300mW 8GHz
Diodes Inc.MMSTA42-7-F
MMSTA42 Series NPN 300 V 200 mW Small Signal Transistor Surface Mount - SOT-323
ROHM2SC4098T106P
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
説明
Diodes Inc. ZUMTS17NTAの詳細は販売業者から提供されます。
ZUMTS Series 11 V 50 mA Surface Mount NPN Transistor - SOT-323
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN
Rf Transistor, Npn, 11V, 0.05A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZUMTS17NTA
Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-323 T/R
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage11 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)11 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
Gain Bandwidth Product3.2 GHz
hFE Min56
Max Breakdown Voltage11 V
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency3.2 GHz