CADモデル
製造元 Diodes Inc. ZTX789A のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
関連部品
onsemiKSB564ACGTA
Tape & Box (TB) Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 1V 1A 800mW 110MHz
onsemiKSB564AYTA
Tape & Box (TB) Through Hole PNP KSB564 Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 100mA 1V 1A 800mW 110MHz
説明
Diodes Inc. ZTX789Aの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
500mV@ 100mA,3A PNP 1W -5V 100nA -25V 25V 3A EP-3SC , 4.77mm*2.41mm*4.01mm
Trans GP BJT PNP 25V 3A 1000mW 3-Pin E-Line
TRANSISTOR, PNP, E-LINE; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:300; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:450mV; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic @ Vce Sat:2A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:2A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:200; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Pulsed Current Icm:8A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:25V
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)25 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage450 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Continuous Collector Current-3 A
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-25 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント