CADモデル
製造元 Diodes Inc. FMMTL619TA のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-11-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
関連部品
Diodes Inc.DDTD113ZC-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
Diodes Inc.DDTD142JC-7-F
DDTD Series 50 V 500 mA NPN Pre-Biased Surface Mount Transistor - SOT-23-3
Diodes Inc.DDTD123TC-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
onsemiSMMUN2216LT3G
SMMUN2216LT3G NPN DIGI TRANSISTOR,100 MA 50V 4.7 KOHM, RATIO OF NONE,3-PIN SOT-23
onsemiFJV3113RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiFJV3114RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
説明
Diodes Inc. FMMTL619TAの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 1.25A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
330mV@ 125mA,1.25A NPN 675mW 7V 10nA 100V 50V 1.25A SOT-23-3 SMD mount 2.9mm*1.3mm*1.03mm
Trans GP BJT NPN 50V 1.25A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage195 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current1.25 A
Current Rating1.25 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency180 MHz
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current1.25 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Transition Frequency180 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1 mm
Length3.05 mm
Width1.4 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント