価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | FMMT723QTA | 39 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| TME | FMMT723QTA | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Avnet | FMMT723QTA | 0 | 3K | 21h | ||||||||
| Arrow Electronics | FMMT723QTA | 0 | 3K | |||||||||
| Farnell | FMMT723QTA | 339 | 5 | Cut Tape | 18h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. FMMT723QTA のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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関連部品
Diodes Inc.FMMT493QTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.FMMT593QTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.FMMT634QTA
100 V 900 mA 140MHz 806 mW NPN Darlington Bipolar (BJT) Transistor - SOT-23-3
PanasonicDSC2C01S0L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA
PanasonicDSC2C01R0L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA
説明
Diodes Inc. FMMT723QTAの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
100V 1 A 625 mW 200MHz Surface Mount PNP Low Saturation Transistor - SOT23
Trans GP BJT PNP 100V 1A 806mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, PNP, 100V, 1A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
330mV@ 150mA,1A PNP 806mW 7V 100nA 100V 100V 1A SOT-23-3
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage330 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
hFE Min250
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz