価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DSS8110Y-7 | 2,835 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DSS8110Y-7 | 2,987 | 144 | |||||||||
| Arrow Electronics | DSS8110Y-7 | 2,987 | 1 | |||||||||
| DigiKey | DSS8110Y-7DICT-ND | 612 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DSS8110Y-7 | 0 | 1 | 17h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DSS8110Y-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.MMDT5451-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual, Complementary NPN and PNP, 160 V, 160 V, 200 mA, 200 mA, 200 mW
ToshibaRN1905,LF(CT
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
説明
Diodes Inc. DSS8110Y-7の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS NPN SOT-363-6
Trans, Npn, 100V, 1A, 150Deg C, 0.625W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DSS8110Y-7
Trans GP BJT NPN 100V 1A 625mW 6-Pin SOT-363 T/R
Transistor, NPN, 100V, 1A, 150DEG C, 0.625W;
100 V LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
200mV@ 100mA,1A NPN 625mW 5V 100nA 120V 100V 1A SOT-363
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min80
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz