価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DSS5220V-7 | 3,000 | 3K | 2d | ||||||||
| Verical | DSS5220V-7 | 3,000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | 31-DSS5220V-7CT-ND | 2,350 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DSS5220V-7 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Future Electronics | DSS5220V-7 | 0 | 3K | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DSS5220V-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.DSS5240V-7
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 100 mA, 600 mW, SOT-563, Surface Mount
Diodes Inc.DSS5140V-7
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DSS5160V-7
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiEMZ1DXV6T5G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
onsemiEMZ1DXV6T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
onsemiNSBC114TPDXV6T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
説明
Diodes Inc. DSS5220V-7の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
DSS5220V Series 20 V 2 A Low VCE(SAT) PNP Surface Mount Transistor - SOT-563
390mV@ 200mA,2A PNP 600mW 5V 100nA 20V 20V 2A SOT-563 1.6mm*1.2mm*600¦Ìm
TRANSISTOR, PNP, 20V, 100mA, 600mW, SOT-563; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:100mA; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, PNP, SOT563, 0.6W; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Typ Gain Bandwidth ft:150MHz; Power Dissipation Pd:0.6W; DC Collector Current:0.1A; DC Current Gain hFE:220; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-563; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:80mV; Max Current Ic Continuous a:0.1A; Min Hfe:220; Package / Case:SOT-563; Power Dissipation:0.6W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight3.005049 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Saturation Voltage-80 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Continuous Collector Current-2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation600 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation600 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height600 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント