価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DSS4160T-7 | 0 | 1 | 11h | ||||||||
| Newark | DSS4160T-7 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DSS4160T-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DSS4160T-7 | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DSS4160T-7 | 0 | 25 | Bulk | 14h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DSS4160T-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.DNBT8105-7
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.FMMT493ATA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Surface Mount
説明
Diodes Inc. DSS4160T-7の詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1 A, 725 mW, SOT-23, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 60V 1A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans, Npn, 60V, 1A, 150Deg C, 0.725W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DSS4160T-7
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage280 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation725 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント