Diodes Inc. DSS4140V-7

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
$ 0.094
Production
メーカーページデータシート

価格と在庫

すべての値下げ情報を見る
DistributorSKUMinPkg
AvnetDSS4140V-724,0003K
2d
VericalDSS4140V-724,0003K
TME
2
DSS4140V-703K
21h
Future ElectronicsDSS4140V-703KTape & Reel
Arrow ElectronicsDSS4140V-703K

データシート & ドキュメント

Diodes Inc. DSS4140V-7のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet5ページ17年前

Diodes Inc SCT

Future Electronics

CADモデル

製造元 Diodes Inc. DSS4140V-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソースeCADmCADファイル
SnapEDA
シンボルフットプリント
ダウンロード
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

関連部品

Diodes Inc.DSS4240V-7
DSS4240V Series 40 V 2 A 600 mW NPN Surface Mount Transistor -SOT-563
詳細
onsemiBC848CDXV6T5
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
詳細
Diodes Inc.MMDT2222V-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
詳細
Diodes Inc.MMDT3904VC-7
Bipolar Array, Dual Npn, 40V/0.2A/Sot563 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. MMDT3904VC-7
詳細
onsemiNSBC144EPDXV6T5G
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
詳細
ToshibaRN1910FE,LF(CT
300mV@ 250¦ÌA,5mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mW 5V 100nA 50V 100mA SOT-563 1.6mm*1.2mm
詳細

説明

Diodes Inc. DSS4140V-7の詳細は販売業者から提供されます。

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
IHS
DSS4140V Series 40 V 1 A Low VCE(SAT) NPN Surface Mount Transistor - SOT-563
Future Electronics
440mV@ 200mA,2A NPN 600mW 5V 100nA 40V 40V 1A SOT-563 1.6mm*1.2mm*600¦Ìm
UnikeyIC
TRANSISTOR, NPN, 40V, 100mA, 600mW, SOT-563; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:100mA; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
TRANSISTOR, NPN, SOT563, 0.6W; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Typ Gain Bandwidth ft:150MHz; Power Dissipation Pd:0.6W; DC Collector Current:0.1A; DC Current Gain hFE:300; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-563; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:80mV; Max Current Ic Continuous a:0.1A; Min Hfe:300; Package / Case:SOT-563; Power Dissipation:0.6W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation
Farnell

画像

LKR
Future Electronics

メーカーの別名

Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

  • DSS4140V7