価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DSS2540M-7B | 270,000 | 10K | 19h | ||||||||
| Newark | DSS2540M-7B | 7,935 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DSS2540M-7B | 120,000 | 10K | |||||||||
| Arrow Electronics | DSS2540M-7B | 120,000 | 10K | |||||||||
| DigiKey | DSS2540M-7BDICT-ND | 66,079 | 1 | Cut Tape |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DSS2540M-7B のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.MMBT2222ALP4-7B
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT3904LP-7
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT3904LP-7B
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Surface Mount
説明
Diodes Inc. DSS2540M-7Bの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BIPOLAR (BJT) TRANSISTOR NPN 40 V 500 MA
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
Trans, Npn, 40V, 0.5A, 150Deg C, 1W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DSS2540M-7B
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz