価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | DMS3016SSS-13 | 0 | 1 | Cut Tape | 10h | |||||||
| Win Source | WS-DMS3016SSS-13 | 10,100 | 85 | 11h | ||||||||
| ICPartonline | DMS3016SSS-13 | 34,849 | 3d | |||||||||
| Worldway Electronics | DMS3016SSS-13 | 26,419 | 7 | Tape & Reel | 10h | |||||||
| Aztech | DMS3016SSS-13 | 11,946 | 6h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMS3016SSS-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-08-05
LTD Date2020-02-05
説明
Diodes Inc. DMS3016SSS-13の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC T/R
MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE
Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET,+SCH,N CH,30V,9.8A,SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.54W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:9.8A; Power Dissipation Pd:1.54W; Voltage Vgs Max:12V
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.8 A
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4.69 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.849 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.54 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.54 W
Rds On Max13 mΩ
Rise Time8.73 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time36.41 ns
Turn-On Delay Time6.62 ns