価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP4025LK3-13 | 335 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 31-DMP4025LK3-13CT-ND | 4,553 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP4025LK3-13 | 0 | 2500 | 3h | ||||||||
| Avnet | DMP4025LK3-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMP4025LK3-13 | 0 | 25 | Bulk | 18h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMP4025LK3-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-12
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
説明
Diodes Inc. DMP4025LK3-13の詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet, P-Ch, 40V, 8.6A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP4025LK3-13
Trans MOSFET P-CH 40V 8.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
DMP40 Series 40 V 1.7 W 6.7 A P-Channel MOSFET TO-252-3
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 40V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 40V 25mOhm -8.6A
40V P-Channel Enhancement MOSFET TO-252
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-252 Polarity: P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.7 W
DiodesZetex PMOS, Vds=40 V, 8.6 A, DPAK (TO-252), , 3
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 40V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.64 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max25 mΩ
Rise Time14.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time53.7 ns
Turn-On Delay Time6.9 ns
Dimensions
Height2.26 mm
Length6.7 mm
Width6.2 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント