価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP2130L-7 | 925 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP2130L-7 | 3,000 | 3K | |||||||||
| Verical | DMP2130L-7 | 3,000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | DMP2130L-7 | 12,000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | DMP2130LDICT-ND | 13,233 | 1 | Cut Tape |
データシート & ドキュメント
Diodes Inc. DMP2130L-7のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。
公式データシート11年前
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMP2130L-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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関連部品
VishaySI2302CDS-T1-E3
MOSFET, N CH, 20V, 2.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
説明
Diodes Inc. DMP2130L-7の詳細は販売業者から提供されます。
P-Channel 20 V 75 mOhm 7.3 nC Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Surface Mount
Mosfet, P-Ch, 20V, 3A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2130L-7
1.4W(Ta) 12V 1.25V@ 250¦ÌA 7.3nC@ 4.5 V 1P 20V 75m¦¸@ 3.5A,4.5V 3A 443pF@16V SOT-23-3 2.9mm*1.3mm*1.03mm
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance443 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max75 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm