価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMP2022LSS-13 | 17,500 | 2500 | 4d | ||||||||
| Newark | DMP2022LSS-13 | 15 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP2022LSS-13 | 37,500 | 2500 | |||||||||
| Verical | DMP2022LSS-13 | 37,500 | 2500 | |||||||||
| Future Electronics | DMP2022LSS-13 | 2,500 | 2500 | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMP2022LSS-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
関連部品
Diodes Inc.DMN2009LSS-13
Single N-Channel 20 V 12 mOhm 28.9 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMP3020LSS-13
DMP3020LSS: 30 V 14 mOhm Single P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMN3052LSS-13
2.5W(Ta) 12V 1.2V@ 250¦ÌA 1N 30V 30m¦¸@ 7.1A,10V 7.1A 555pF@5V SOIC-8 1.5mm
説明
Diodes Inc. DMP2022LSS-13の詳細は販売業者から提供されます。
P-Channel 20 V 13 mOhm 2.5 W SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
2.5W(Ta) 12V 1.1V@ 250¦ÌA 56.9nC@ 10 V 1P 20V 13m¦¸@ 10A,10V 10A 2.444nF@10V SOIC-8 1.75mm
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Surface Mount
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight850.995985 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time76.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.444 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max13 mΩ
Rise Time9.9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage770 mV
Turn-Off Delay Time108 ns
Turn-On Delay Time7.5 ns
Dimensions
Height1.7 mm
Length5.3 mm
Width4.1 mm