価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DMP2018LFK-7DICT-ND | 10,298 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMP2018LFK-7 | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| Future Electronics | DMP2018LFK-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Farnell | DMP2018LFK-7 | 0 | 5 | Cut Tape | 18h | |||||||
| Mouser | 621-DMP2018LFK-7 | 102,626 | 1 | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMP2018LFK-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.DMN2015UFDE-7
Mosfet, N-Ch, 20V, 10.5A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2015UFDE-7
Diodes Inc.DMN2016LHAB-7
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
説明
Diodes Inc. DMP2018LFK-7の詳細は販売業者から提供されます。
P-Channel 20 V 16 mOhm 113 nC Surface Mount Power Mosfet - UDFN2523-6
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 9.2 A, 0.01 ohm, U-DFN2523, Surface Mount
Mosfet, P-Ch, -20V, -9.2A, U-Dfn2523; Transistor Polarity:p Channel; Continuous Drain Current Id:-9.2A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(On):0.01Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.2V; Power Rohs Compliant: Yes
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance4.748 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max16 mΩ
Rise Time29.8 ns
Turn-Off Delay Time240.8 ns
Turn-On Delay Time22.8 ns
Dimensions
Height580 µm
Length2.55 mm
Width2.35 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント