価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN6013LFG-7 | 1,864 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN6013LFG-7DICT-ND | 4,000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN6013LFG-7 | 0 | 2K | 9h | ||||||||
| Avnet | DMN6013LFG-7 | 0 | 2K | 13h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN6013LFG-7 | 0 | 2K |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMN6013LFG-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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関連部品
InfineonIPD50N06S4L12ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 50A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50N06S4L12ATMA2
Diodes Inc.DMT6009LK3-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 57A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT6009LK3-13
onsemiFDMS5361L-F085
75W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 44nC@ 10 V 1N 60V 15m¦¸@ 16.5A,10V 35A 1.98nF@25V QFN 6mm*5mm*1.1mm
説明
Diodes Inc. DMN6013LFG-7の詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet, N-Ch, 60V, 45A, Powerdi 3333 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN6013LFG-7
DMN6013 Series 60 V 1 W 10.3 A N-Channel MOSFET PowerDI3333-8
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 60V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
MOSFET, N-CH, 60V, 45A, POWERDI 3333;
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight72.007789 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.3 A
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.577 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max13 mΩ
Rise Time9.9 ns
Turn-Off Delay Time27.6 ns
Turn-On Delay Time6.2 ns