価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN5L06VAK-7 | 0 | 3 | 17h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN5L06VAK-7 | 0 | 50 | Bulk | 10h | |||||||
| Win Source | WS-DMN5L06VAK-7 | 194,000 | 655 | 18h | ||||||||
| Worldway Electronics | DMN5L06VAK-7 | 23,541 | 7 | Tape & Reel | 17h | |||||||
| Esaler Electronic | DMN5L06VAK-7 | 3,000 | 2d |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMN5L06VAK-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
説明
Diodes Inc. DMN5L06VAK-7の詳細は販売業者から提供されます。
DMN5L06VAK: 50 V 2 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-563
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 50V 280mA 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.28A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
250mW 20V 1V@ 250¦ÌA 2N 50V 2¦¸@ 50mA,5V 280mA 50pF@25V SOT-563 1.6mm*1.2mm*600¦Ìm
Transistor - FET Dual N-Channel 20V 280mA
50V 280mA 2Ω@5V,50mA 250mW 1V@250uA 2 N-Channel SOT-563 MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
MOSFET DUAL N-CHANNEL SOT-563 GREEN 3K<AZ
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight3.005049 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)280 mA
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation250 mW
Rds On Max2 Ω
Dimensions
Height600 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント