価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN3200U-7 | 138,000 | 3K | 4d | ||||||||
| Newark | DMN3200U-7 | 1,114 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN3200U-7 | 33,000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN3200U-7 | 3 | 1 | |||||||||
| DigiKey | DMN3200U-7DICT-ND | 14,432 | 1 | Cut Tape |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMN3200U-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
VishaySI2307CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.5 A, 88 MilliOhms, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
説明
Diodes Inc. DMN3200U-7の詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 30 V 200 mOhm 650 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.2 A, 0.09 ohm, SOT-23, Surface Mount
650mW(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 30nC 1N 30V 90m¦¸@ 2.2A,4.5V 2.2A 290pF@10V SOT-23-3 2.9mm*1.3mm*1.03mm
Mosfet, N-Ch, 30V, 2.2A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3200U-7
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance290 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation650 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation650 mW
Rds On Max90 mΩ
Schedule B8541210080
Dimensions
Height1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm