価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN2300U-7 | 6,000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | DMN2300U-7 | 20 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN2300U-7 | 66 | 66 | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN2300U-7 | 66 | 66 | |||||||||
| TME | DMN2300U-7 | 0 | 1 | 19h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMN2300U-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.ZXM61N02FTA
ZXM61N02F 20 V 0.18 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23
InfineonBSS806NH6327XTSA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.041ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23; AEC-Q100
InfineonBSS214NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS214NH6327XTSA1
説明
Diodes Inc. DMN2300U-7の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.24 A, 0.175 ohm, SOT-23, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
175mΩ@4.5V,300mA 20V 950mV@250uA N Channel 430mW 1.24A SOT-23 MOSFETs ROHS
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.24 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance175 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance64.3 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation550 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max175 mΩ
Rise Time2.8 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time3.5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント