CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMN2028USS-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
Diodes Inc. DMN2028USS-13の詳細は販売業者から提供されます。
1.56W(Ta) 8V 1.3V@ 250¦ÌA 11.6nC@ 4.5 V 1N 20V 20m¦¸@ 9.4A,4.5V 7.3A 1nF@10V SOIC-8
DMN Series 20 V 20 mOhm 12.5 W SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SO-8
20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8
Trans MOSFET N-CH 20V 9.8A 8-Pin SO T/R
MOSFET N-Ch FET VDSS 20V VGSS 20V ID 9.8A
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET,N CH,20V,9.8A,SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.8A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Diss
Mosfet, n Channel,20V,7.3A, so8; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:9.8A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:20V; Resistencia De Activación Rds(On):11Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):4.5V; Tensión Umbral Vgs:1V |Diodes Inc. DMN2028USS-13
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12.33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.56 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time12.49 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time35.89 ns
Turn-On Delay Time11.67 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm