価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN2020UFCL-7 | 9,000 | 3K | 13h | ||||||||
| Verical | DMN2020UFCL-7 | 585,000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | DMN2020UFCL-7DICT-ND | 2,939 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2020UFCL-7 | 0 | 1 | 3h | ||||||||
| Future Electronics | DMN2020UFCL-7 | 0 | 3K | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMN2020UFCL-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.DMN2015UFDE-7
Mosfet, N-Ch, 20V, 10.5A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2015UFDE-7
Diodes Inc.DMN2013UFDE-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 10.5 A, 0.0084 ohm, U-DFN2020, Surface Mount
説明
Diodes Inc. DMN2020UFCL-7の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN T/R
20V 9A 610mW 14mΩ@4.5V,9A 900mV@250uA N Channel X1-DFN1616-6 MOSFETs ROHS
610mW(Ta) 10V 900mV@ 250¦ÌA 21.5nC@ 4.5 V 1N 20V 14m¦¸@ 9A,4.5V 9A 1.788nF@10V SOT-23 1.6mm*1.6mm*500¦Ìm
MOSFET 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 20V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 10±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Capacitance1.788 nF
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance1.788 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max14 mΩ
Rise Time5.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time3.8 ns