価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN2009USS-13 | 444 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 31-DMN2009USS-13CT-ND | 1,055 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2009USS-13 | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Avnet | DMN2009USS-13 | 0 | 2500 | 5d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN2009USS-13 | 0 | 2500 |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMN2009USS-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-02-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
Diodes Inc. DMN2009USS-13の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET N-Channel Enhancement Mode 20V 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel
Mosfet, N-Ch, 20V, 12.1A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2009USS-13
2W 12V 500mV 34nC 1N 20V 8m¦¸@ 10V 12.1A 1.706nF@ 10V SOIC-8
MOSFET, N-CH, 20V, 12.1A, SOIC;
Trans MOSFET N-CH 20V 12.1A 8-Pin SO T/R
Power Field-Effect Transistor, 12.1A I(D), 20V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.1 A
Drain to Source Resistance8 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1