CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMN2005LPK-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-11-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
Diodes Inc.DMN2990UFA-7B
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.51A, X2-Dfn0806 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2990UFA-7B
Diodes Inc.DMP22D4UFA-7B
Mosfet, P-Ch, 20V, 0.33A, X2-Dfn0806 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP22D4UFA-7B
説明
Diodes Inc. DMN2005LPK-7の詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 20 V 1.7 Ohm 450 mW Silicon Surface Mount Mosfet - UFDFN-3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A Automotive 3-Pin DFN T/R
Power Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 20V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet Bvdss: 8V~24V X1-Dfn1006-3 T&r 3K
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 10±V VGS
Diodes Inc SCT
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DFN3
MOSFET, N-CH, 20V, 0.44A, X1-DFN1006;
MOSFETs - Low Threshold Voltage 20V 200mA
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)400 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation450 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max1.5 Ω
Schedule B8541210080
Dimensions
Height470 µm
Length1 mm
Width600 µm