価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | DMG4496SSS-13 | 12,500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | DMG4496SSS-13 | 1,125 | 1125 | |||||||||
| DigiKey | DMG4496SSS-13DICT-ND | 40 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMG4496SSS-13 | 2,500 | 1 | 1d | ||||||||
| Newark | DMG4496SSS-13 | 0 | 5 | Cut Tape |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMG4496SSS-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
Diodes Inc. DMG4496SSS-13の詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 30 V 29 mOhm 4.7 nC 1.42 W Silicon Mosfet - SOIC-8
Mosfet, N-Ch, 30V, 10A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4496SSS-13
Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R
N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOIC8
1.42W(Ta) 25V 2V@ 250¦ÌA 10.2nC@ 10 V 1N 30V 21.5m¦¸@ 10A,10V 10A 493.5pF@15V SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.45mm
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0215ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
30V 10A 1.42W 21.5mΩ@10V,10A N Channel SO-8 MOSFETs ROHS
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance21.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance493.5 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.42 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.42 W
Rds On Max21.5 mΩ
Rise Time3.64 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19.5 ns
Turn-On Delay Time4.76 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm