価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMC2400UV-7 | 364 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMC2400UV-7 | 2 | 2 | |||||||||
| TME | DMC2400UV-7 | 5 | 1 | 1d | ||||||||
| Avnet | DMC2400UV-7 | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| Future Electronics | DMC2400UV-7 | 0 | 3K | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMC2400UV-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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関連部品
Diodes Inc.DMC2450UV-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.3 ohm
onsemiNTZD3156CT1G
Small Signal MOSFET 20V 540mA 550 mOhm Dual Complementary SOT-563 With 100K G-S Resistors
説明
Diodes Inc. DMC2400UV-7の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET N/P-CH 20V SOT563 / Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.030A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.3 ohm
N & P Channel 20 V 480 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-563
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-563 Polarity: N/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1 W
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.03A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.03 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance700 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance37.1 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation450 mW
Rds On Max480 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13.74 ns
Turn-On Delay Time4.06 ns
Dimensions
Height600 µm
Length1.7 mm
Width1.25 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント