価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DDTC114ELP-7 | 0 | 1 | 11h | ||||||||
| Avnet | DDTC114ELP-7 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Future Electronics | DDTC114ELP-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | DDTC114ELP-7 | 0 | 3K | |||||||||
| Mouser | 621-DDTC114ELP-7 | 13 | 1 | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DDTC114ELP-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.DDTC114YLP-7
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
Diodes Inc.BC846BLP4-7B
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Surface Mount
Diodes Inc.DDTC143ZLP-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
説明
Diodes Inc. DDTC114ELP-7の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DDTC114ELP Series 50 V 50 mA 250 mW NPN Small Signal Transistor - DFN-3
Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 250mW 3-Pin DFN T/R
300mV@ 10mA,70mA NPN - Pre-Biased 250mW 1¦ÌA 50V 100mA DFN 1mm*600¦Ìm*470¦Ìm
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current50 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min90
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Transition Frequency250 MHz
Dimensions
Height470 µm
Length1 mm
Width600 µm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント