価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DDTC114EE-7-F | 2,980 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DDTC114EE-7-F | 6,000 | 6K | |||||||||
| DigiKey | 31-DDTC114EE-7-FCT-ND | 3,750 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DDTC114EE-7-F | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Avnet | DDTC114EE-7-F | 0 | 3K | 2d |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DDTC114EE-7-F のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
関連部品
Diodes Inc.DDTC143XE-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.DDTC123YE-7-F
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R / TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Diodes Inc.DDTC114WE-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
説明
Diodes Inc. DDTC114EE-7-Fの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
300mV@ 500¦ÌA,10mA NPN - Pre-Biased 150mW 500nA 50V 100mA SOT-523 1.6mm*800¦Ìm*800¦Ìm
30@5mA,5V 1 NPN - Pre Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-523-3 Digital Transistors ROHS
Rf Transistor, 50V, 0.1A, Sot-523 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DDTC114EE-7-F
Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Bipolar Transistors - Pre-Biased PRE-BIAS NPN 150mW
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-523
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.012816 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating50 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min30
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height750 µm
Length1.6 mm
Width800 µm