CADモデル
製造元 Diodes Inc. APT13003DU-G1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2020-04-07
LTD Date2020-04-07
関連部品
onsemiKSE13003H3ASTU
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 19 @ 500mA 2V 1.5A 20W 4MHz
説明
Diodes Inc. APT13003DU-G1の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 20W
Trans GP BJT NPN 450V 1.5A 3-Pin TO-126 Bulk
450V NPN HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR,T
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-126
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage450 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)450 V
Continuous Collector Current1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
Fall Time350 ns
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min5
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Transition Frequency4 MHz