価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | 2DB1188R-13 | 2,490 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 2DB1188RDICT-ND | 724 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | 2DB1188R-13 | 0 | 1 | 2h | ||||||||
| Future Electronics | 2DB1188R-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | 2DB1188R-13 | 0 | 2500 | 16h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. 2DB1188R-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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関連部品
ROHM2SB1188T100P
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1132T100R
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1132T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
説明
Diodes Inc. 2DB1188R-13の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 32V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
BIPOLAR TRANSISTOR MEDIUM POWER PNP SOT-89
Trans, Pnp, 32V, 2A, 150Deg C, 1W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. 2DB1188R-13
800mV@ 200mA,2A PNP 1W 6V 100nA 40V 32V 2A SOT-89-3 1.6mm
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency120 MHz
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min180
Max Breakdown Voltage32 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Transition Frequency120 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.48 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント