価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | 2DB1184Q-13 | 4,246 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 2DB1184Q-13DICT-ND | 835 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | 2DB1184Q-13 | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Avnet | 2DB1184Q-13 | 0 | 2500 | 23h | ||||||||
| Arrow Electronics | 2DB1184Q-13 | 0 | 2500 |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. 2DB1184Q-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
onsemiNJD1718T4G
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
onsemiNJVNJD1718T4G
TRANS PNP 50V 2A DPAK / Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 2 A 80MHz 1.68 W Surface Mount DPAK
説明
Diodes Inc. 2DB1184Q-13の詳細は販売業者から提供されます。
Trans GP BJT PNP 50V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
2DB1184Q Series 50 V 3 A Surface Mount PNP Medium Power Transistor - TO-252-3
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Trans, Pnp, 50V, 3A, 150Deg C, 15W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. 2DB1184Q-13
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.39037 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency110 MHz
Gain Bandwidth Product110 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation15 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency110 MHz
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.8 mm
Width6.2 mm