CADモデル
製造元 Comchip 2N3906-G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginTaiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
onsemiKSA1175YBU
Bulk Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 1mA 6V 150mA 250mW 180MHz
onsemiFJNS4202RTA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92S
説明
Comchip 2N3906-Gの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Bipolar Transistors - BJT -40V -200mA TO-92
TRANS PNP 40V 0.2A TO-92
メーカーの別名
Comchipは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Comchip は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Comchip Technology
- COMCHIP TECHNOLOGY CORP
- COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD
- Comchip Technology Corporation Ltd
- COMCHIP TECHNOLOGY (VA)
- COMCHIP TECHNOLOGY CORPORATION
- COMCHIP(RoHS)
- COMCHIP TECH
- AVI MANUFACTURING
- COMCHIP TECHOLOGY
- Comchip Technology Ltd
- MCHIP
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min30
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Box (TB)
PolarityPNP
Schedule B8541100070
Transition Frequency250 MHz